石英玻璃的主要生产工艺
石英玻璃的核心生产工艺解析
一、原料准备:纯度决定品质
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石英砂提纯
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天然砂精选:优选高纯度石英砂(如安徽天柱山 4N 级砂,SiO₂≥99.9%),剔除长石、云母等杂质矿物。
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物理选矿:通过磁选(去除 Fe、Ti 等磁性杂质)、浮选(分离长石)和水洗(去除泥沙)提升纯度。
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化学提纯:酸浸工艺(HCl/HF 混合酸)去除金属氧化物,使杂质含量<10ppm,满足半导体级需求。
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合成石英砂(高端场景)
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通过四氯化硅(SiCl₄)气相水解生成高纯 SiO₂粉末,纯度可达 99.999%,用于光纤预制棒等精密领域。
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二、熔融成型工艺
1. 电熔法(最常用工艺)
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设备:电阻炉或电弧炉,温度控制在 1700-2000℃。
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流程:
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石英砂投入坩埚,通电熔融成液态;
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通过拉管、吹制或压制模具,成型为管、棒、板等形状;
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退火处理:缓慢降温至室温(耗时数十小时),消除内应力,避免开裂。
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特点:
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适合大规模生产普通石英玻璃(如加热管、实验室器皿);
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成本较低,但气泡、杂质控制难度高,纯度通常为 99.6-99.9%。
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2. 气炼法(高纯度工艺)
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设备:氢氧焰熔炉,以 H₂+O₂燃烧提供高温(>2000℃)。
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流程:
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石英砂颗粒通过料斗下落,经氢氧焰熔融;
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熔融液滴在旋转靶棒上逐层堆积,形成透明玻璃锭;
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后续加工:切割、研磨成光学元件或半导体用管。
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特点:
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熔融过程中杂质挥发充分,纯度可达 99.99% 以上;
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适合生产大尺寸光学玻璃(如激光窗口、光谱仪棱镜)。
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3. 气相沉积法(超精密工艺)
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原理:利用 SiCl₄、SiH₄等气体在高温下分解,沉积生成高纯 SiO₂。
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分类:
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MCVD(Modified Chemical Vapor Deposition):
石英管旋转加热,气体通入后沉积在内壁,形成多层透明玻璃,用于光纤预制棒芯层。 -
PCVD(Plasma Chemical Vapor Deposition):
微波激发等离子体,加速气体反应,沉积效率更高,适合制备低羟基(OH⁻≤5ppm)石英玻璃。
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特点:
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纯度达 99.999% 以上,羟基含量极低,是光通信、极紫外(EUV)光刻设备的核心工艺;
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技术门槛高,设备昂贵,全球仅少数企业(如日本信越、德国贺利氏)掌握。
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三、后加工处理:赋予功能性
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光学加工
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研磨抛光:用金刚石磨料将石英玻璃表面粗糙度降至 Ra≤0.1μm,用于光学透镜、比色皿;
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镀膜:镀增透膜(如 MgF₂)提升紫外 / 红外透光率,或镀反射膜用于激光腔体。
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精密加工
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激光切割:用 CO₂激光或皮秒激光切割异形件(如螺旋管、毛细管),精度达 ±0.02mm;
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扩口与封接:通过火焰熔融实现石英管与金属部件(如不锈钢)的真空封接,用于半导体设备。
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性能优化
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脱羟处理:高温(>1100℃)真空退火,使羟基含量从 50ppm 降至 5ppm 以下,适配红外光学;
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强化处理:化学气相沉积(CVD)在表面形成压应力层,提升抗冲击强度 30% 以上。
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四、工艺对比与应用场景
工艺 | 纯度(SiO₂) | 羟基含量 | 典型产品 | 成本级别 |
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电熔法 | 99.6-99.9% | 50-500ppm | 加热管、烧杯 | 低 |
气炼法 | 99.9-99.99% | 10-50ppm | 激光窗口、半导体扩散管 | 中 |
气相沉积法 | ≥99.999% | ≤5ppm | 光纤预制棒、EUV 光刻物镜 | 高 |
五、技术挑战与趋势
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高端市场依赖进口:半导体用气相沉积石英管、EUV 光学元件等仍依赖进口,国内企业正突破氢氧焰气炼、等离子体沉积等关键技术。
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绿色生产:开发电熔法余热回收技术,降低能耗(每吨石英玻璃耗电约 3000kWh);探索无酸提纯工艺,减少废水排放。
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